电子设备

二维和三维导电MOFs在能源和催化领域表现良好。在此，作者合成了DDA配体由双Cu离子连接的一维导电MOF，形成π-d共轭纳米带平面和平面外π-π叠加的纳米带层，促进了电荷沿二维方向的传输。

通过将采用绝缘体上硅技术制造的p型晶体管和采用二维二硫化钼制造的n型晶体管相结合，可以在晶圆规模上制造出异质互补场效应晶体管。

使用普通的固态电解质薄膜，可以根据需要创造出具有不同特性的多模晶体管——可调的突触权重、高表观迁移率、急剧的亚阈值波动和忆导，并可用于根据需要创建在不同模式下运行的神经网络。

二维材料中的缺陷中心在量子信息和传感领域的应用前景广阔。Lee等人通过计算发现了一类单分子层过渡金属二卤族化合物的取代缺陷中心，具有很有前途的量子比特特性，工作在电信波长。

氧化铪电介质和二硫化钼沟道之间通过氧的积累可以形成5.3 Å的范德华斯间隙，这削弱了电介质缺陷对沟道材料的影响，并导致晶体管具有低迟滞和陡峭的阈下斜率。