研究2023年1月18日|开放获取 反铁磁隧道结中的八极驱动磁电阻 作者报道了在由Mn组成的全反铁磁隧道结中观测到的隧穿磁阻3.Sn /分别以/锰3.Sn，为利用反铁磁体开发超快高效自旋电子器件奠定了基础。 Xianzhe陈 ，Tomoya Higo ＆Satoru Nakatsuji 自然 613, 490 - 495
研究12月27日|开放获取 γ-BaFe2O4:室温多铁性的新舞台 多铁性材料的应用常常受到低定序温度的限制。在这里，作者表明BaFe2O4是一种室温反铁磁体，具有不适当的铁电性，这表明它是研究多铁性的一个场所。 法比奥Orlandi ，大卫。Delmonte ＆弗朗西斯科·Mezzadri 自然通讯 13, 7968年
研究11月24日|开放获取 四方Pb(Zr,Ti)O中180°畴壁的巨大可开关非热激活传导3. 导电畴壁被设想为未来的纳米电子学和计算硬件。在这里，作者研究了一种基于名义中性180°畴壁的高导电通道的可重写安排的方法。 Felix Risch ，尤里Tikhonov ＆Igor Stolichnov 自然通讯 13, 7239年
研究11月3日2022|开放获取 基于深紫外光突触和忆阻器阵列的潜在指纹识别传感器内储层计算系统 识别系统中传感器、存储器和处理器的分离降低了决策的延迟，提高了整体计算能力。在这里，Zhang等人开发了一个光电存储库计算系统，由DUV光突触和忆阻器阵列组成，利用传感器内和并行内存计算来检测和识别潜在指纹。 Zhongfang张 ，枭龙赵 ＆Shibing长 自然通讯 13, 6590年
新闻及观点|2020年2月13日 一种具有两种不同拓扑状态的化合物 两种不同的拓扑状态与层状化合物的自旋构型密切相关，这里是MnBi2Te4，已被证明。这种拓扑状态的控制将为实现量子和自旋电子器件提供新的机会。 彭魏 ＆Jagadeesh S. Moodera 自然材料 19, 481 - 482
新闻及观点|2018年6月18日 单件玻璃记录数据 单原子玻璃状锑现在可以通过在纳米限制体积的设备设置中熔化淬火来实现。与目前用于相变存储器的合金相比，在这种简单的材料中，偏离优化成分不再是一个问题。 (音译) ＆埃文·马 自然材料 17, 654 - 655
反铁磁隧道结中的八极驱动磁电阻
平面谐振腔微波光子-磁振子耦合强度的增强
基于二维的平面铁电隧道结α——2Se3./半导体异质结构
γ-BaFe2O4:室温多铁性的新舞台
四方Pb(Zr,Ti)O中180°畴壁的巨大可开关非热激活传导3.
基于深紫外光突触和忆阻器阵列的潜在指纹识别传感器内储层计算系统
硅变重量级
一种具有两种不同拓扑状态的化合物
快速和有效的开关与铁磁体
发现了电动skyrmions
单件玻璃记录数据